| 型号：SPP11N60C3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 11A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 380 毫欧 @ 7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.9V @ 500µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 60nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1200pF @ 25V |
| 功率_最大 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 包装 | 散装 |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
| 深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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| 深圳勤思达科技有限公司 | 吴086-0755-83268779 |
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